Silikoonnitriid Si3n4 keraamiline substraat

Silikoonnitriid Si3n4 keraamiline substraat

Silicon Nitride Si3n4 keraamiline substraat on teatud tüüpi täiustatud materjal, mida kasutatakse paljudes erinevates rakendustes, alates elektroonikast ja lõpetades kosmosetööstusega. Sellel on ainulaadne omaduste kombinatsioon, mis teeb sellest ühe kõige mitmekülgsema ja vastupidavama saadaoleva keraamika. Räninitriid on uskumatult kõva ja tugev materjal, mis muudab selle kulumis- ja rebenemiskindlaks. Sellel on suurepärane termiline stabiilsus, mis tähendab, et see talub kõrgeid temperatuure ilma oma omadusi halvendamata või kaotamata. Lisaks on see kõrge elektriisolatsiooniga, pakkudes elektrikomponentidele suurepärast isolatsiooni ja kaitset.

Räninitriidkeraamilist substraati kasutatakse selle suurepärase soojusjuhtivuse ja soojuseraldusomaduste tõttu erinevates elektroonikakomponentides, näiteks jõupooljuhtides ja valgusdioodides (LED). Tänu erakordsele tugevusele ja sitkusele kasutatakse seda ka mehaanilistes rakendustes, nagu kiired laagrid ja lõiketööriistad. Lennundustööstus kasutab räninitriidkeraamilist substraati kõrge temperatuuriga rakendustes, näiteks turbiini osades, tänu selle suurepärasele termilisele löögikindlusele ja oksüdatsioonikindlusele.

Üldiselt on räninitriidkeraamiline substraat erakordne materjal, millel on lai valik rakendusi. Selle vastupidavus, termiline stabiilsus, elektriisolatsioon ja mehaaniline tugevus muudavad selle populaarseks valikuks paljudes erinevates tööstusharudes.

Olete teretulnud meie tehasesse, et osta uusim müük, madal hind ja kvaliteetne räninitriidkeraamiline substraat. Torbo ootab teiega koostööd.

Torbo® Silicon Nitride Si3n4 keraamiline substraat

Üksus: räninitriid Si3n4 keraamiline substraat

Materjal: Si3N4

Värv: hall

Paksus: 0,25-1 mm

Pinnatöötlus: topeltpoleeritud

Puistetihedus: 3,24g/㎤

Pinna karedus Ra: 0,4μm

Paindetugevus: (3-punkti meetod):600-1000Mpa

Elastsusmoodul: 310Gpa

Murdetugevus (IF-meetod): 6,5 MPa･√m

Soojusjuhtivus: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektriline kadudegur: 0,4

Mahutakistus: 25°C >1014 Ω･㎝

Jaotuse tugevus: DC >15㎸/㎜