Räninitriidplaat ja selle valmistamismeetod

Patendi nimi:Silikoonnitriidsubstraatja selle tootmismeetod ning räninitriidplaadi ja pooljuhtmooduli tootmismeetod, kasutades räninitriidplaati
Tehniline valdkond:
Käesolev leiutis hõlmabSilikoonnitriidsubstraatja selle tootmismeetodid. Lisaks hõlmab leiutis räni nitriidahela substraatide ja pooljuhtmoodulite kasutamist, kasutades ülaltoodut.Silikoonnitriidsubstraat.
Taustatehnika:
Viimastel aastatel on elektrisõidukite valdkondades ja muudes valdkondades jõulise pooljuhtmoodul (Power Semiconductor Module) (IGBT, power MOSFET jne), mis suudab töötada kõrgepinge ja suure vooluga. Võimsuspooljuhtmoodulis kasutatava substraadi puhul saab kasutada isoleeriva keraamilise substraadi ühte pinda kombineerimiseks metalltrükkplaadiga ja keraamilise ahela substraati koos metallradiaatorplaadiga teisel pinnal. Lisaks pooljuhtelemendid metalltrükkplaadil ja nii edasi. Eespool nimetatud isoleerivate keraamiliste substraatide kombinatsioon metalltrükkplaatide ja metallist jahutusradiaatoritega, nagu nn vasepõhine vasepõhine vasepõhine vasepõhine vasepõhine vasepõhine vasepõhine vask on otse ühendatud legaalseks. Sellise võimsusega pooljuhtmooduli puhul on soojuse hajumine suurem, voolates läbi suurte voolude. Kuna aga ülalmainitud isoleeriv keraamiline aluspind on madala soojusjuhtivusega, võib sellest saada pooljuhtkomponentide soojuse hajumist takistav tegur. Lisaks põhjustab termilise pinge teket soojuspaisumise kiirus isoleeriva keraamilise substraadi ja metalltrükkplaadi ning metallist jahutusradiaatori plaadi vahel. Selle tulemusena isoleeriv keraamiline aluspind praguneb ja hävib või metalltrükkplaat või metallist soojus hajub. Plaat eemaldatakse isoleerkeraamiliselt aluspinnalt.